其實，要實現(xiàn)大尺寸硅片的高精度高效率是行業(yè)的一個難點(diǎn)之一。我司對硅片拋光機(jī)和硅片拋光工藝研究多年，有相 當(dāng)深厚的造詣。在大尺寸硅片拋光技術(shù)的難點(diǎn)解決上有了很大的進(jìn)展，目前已經(jīng)具備解決這一難題的方案和技術(shù)。本文重點(diǎn)闡述壓力壓強(qiáng)對大尺寸硅片在拋光中的作 用。

　　大尺寸硅片我們以直徑300mm的硅片為例，雙面拋光過程中硅片的運(yùn)動狀態(tài)跟單面拋光不一 樣，硅片是放在游星輪片內(nèi)，在中心和邊緣齒輪的帶動下旋轉(zhuǎn)，壓力于圓盤作相對轉(zhuǎn)動。由含有sio2的堿性拋光液輸送到硅片和拋光墊之間，從而完成對硅片表 面的拋光。本實驗主要目的是研究壓力對硅片拋光的影響，故只改變壓力其他參數(shù)不變。

　　用測量儀掃描硅片范圍0.5mm*0.5mm，垂直分辨率0.2nm，表面粗超度用均方根 RMS表示：其中Z1為測得各點(diǎn)的高度值ZAVE位給定區(qū)域內(nèi)Z 的平均值。RMS實際上是給定區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)偏差。硅片表面峰谷的高度變化用peak\valley值表示，其定義為表面比較高點(diǎn)與比較低點(diǎn)的高度差，也是表面粗 超度程度的量。

　　圖2是硅片在壓力5,10,18kPa下進(jìn)行雙面拋光的形貌，可以看出，在壓力5kPa時 拋光后的表面比較粗糙，0.5mm*0.5mm范圍內(nèi)RMS是 1.13nm，谷峰值為8.06nm，當(dāng)壓力增大到10KPa時表面粗超度明顯減小，RMS為0.79nm，峰谷值為5.18nm。隨著壓力的增加，表面 RMS和峰谷值均增加。因此，拋光壓力的不同將得到不同的硅拋光片表面形貌。

　　從以上結(jié)果表明，壓力的增大表面粗超度逐漸減小，當(dāng)壓力增加到一定程度時達(dá)到很小值，壓力繼續(xù)增加時，為粗超度增大，峰谷值和微粗超度在不同的壓力下變化趨勢基本一致。

　　基于以上實驗，得知以下結(jié)論，當(dāng)壓力加大在某一恒定數(shù)值時，硅片表面的粗超度達(dá)到很小，拋 光液的厚度也隨著壓力的增大而減小，所以這一個恒定的數(shù)值是需要我們測量和計算的關(guān)鍵。只要壓力調(diào)整到這一恒定數(shù)值，大尺寸硅片的表面粗超度就很容易實 現(xiàn)，如客戶有硅片拋光的需求，我司有硅片拋光機(jī)請隨時來我司試樣。